DETEKTORIAUS

DETEKTORIAUS

  • 355 nm APD

    355 nm APD

    Tai Si lavinos fotodiodas su dideliu šviesai jautriu paviršiumi ir sustiprintu UV.Jis užtikrina didelį jautrumą nuo UV iki NIR.

  • 800 nm APD

    800 nm APD

    Tai Si lavinos fotodiodas, užtikrinantis didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 800 nm.

  • 905 nm APD

    905 nm APD

    Tai Si lavinos fotodiodas, užtikrinantis didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 905 nm.

  • 1064 nm APD

    1064 nm APD

    Tai Si lavinos fotodiodas, užtikrinantis didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 1064 nm.Jautrumas: 36 A/W esant 1064 nm.

  • 1064 nm APD moduliai

    1064 nm APD moduliai

    Tai patobulintas Si lavinos fotodiodo modulis su išankstinio stiprinimo grandine, leidžiančia stiprinti silpnos srovės signalą ir konvertuoti į įtampos signalą, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

  • InGaAs APD moduliai

    InGaAs APD moduliai

    Tai indžio galio arsenido lavinos fotodiodo modulis su išankstinio stiprinimo grandine, leidžiančia stiprinti silpnos srovės signalą ir konvertuoti į įtampos signalą, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

  • Keturių kvadrantų APD

    Keturių kvadrantų APD

    Jį sudaro keturi tie patys Si lavinos fotodiodo blokai, užtikrinantys didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 980 nm.Jautrumas: 40 A/W esant 1064 nm.

  • Keturių kvadrantų APD moduliai

    Keturių kvadrantų APD moduliai

    Jį sudaro keturi tie patys Si lavinos fotodiodo blokai su išankstinio stiprinimo grandine, leidžiančia stiprinti silpnos srovės signalą ir paversti įtampos signalu, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

  • 850nm Si PIN moduliai

    850nm Si PIN moduliai

    Tai 850 nm Si PIN fotodiodo modulis su išankstinio stiprinimo grandine, kuri leidžia stiprinti silpnos srovės signalą ir konvertuoti į įtampos signalą, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

  • 900nm Si PIN fotodiodas

    900nm Si PIN fotodiodas

    Tai Si PIN fotodiodas, kuris veikia esant atvirkštiniam poslinkiui ir užtikrina didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 930 nm.

  • 1064nm Si PIN fotodiodas

    1064nm Si PIN fotodiodas

    Tai Si PIN fotodiodas, kuris veikia esant atvirkštiniam poslinkiui ir užtikrina didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 980 nm.Jautrumas: 0,3A/W esant 1064 nm.

  • Fiber Si PIN moduliai

    Fiber Si PIN moduliai

    Optinis signalas konvertuojamas į srovės signalą įvedant optinį skaidulą.Si PIN modulis yra su išankstinio stiprinimo grandine, kuri leidžia stiprinti silpnos srovės signalą ir konvertuoti į įtampos signalą, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

12Kitas >>> 1/2 psl