1064 nm Si PIN fotodiodo Teminis vaizdas

1064nm Si PIN fotodiodas

Modelis: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Trumpas aprašymas:

Tai Si PIN fotodiodas, kuris veikia esant atvirkštiniam poslinkiui ir užtikrina didelį jautrumą nuo UV iki NIR.Didžiausias atsako bangos ilgis yra 980 nm.Jautrumas: 0,3A/W esant 1064 nm.

gauti citatą parsisiųsti

Techninis parametras

Produkto etiketės

funkcijos

Priekinė apšviesta konstrukcija
Maža tamsi srovė
Aukštas atsakas
Didelis patikimumas

Programos

Optinio pluošto ryšys, jutimas ir nuotolio nustatymas
Optinis aptikimas nuo UV iki NIR
Greitas optinio impulso aptikimas
Valdymo sistemos pramonei

Fotoelektrinis parametras (@Ta=25 ℃)

Prekė Nr.	Paketo kategorija	Šviesai jautraus paviršiaus skersmuo (mm)	Spektrinio atsako diapazonas (nm)	Didžiausias atsako bangos ilgis (nm)	Reagavimas (A/W) λ = 1064 nm	Kylantis laikas λ = 1064 nm V_R= 40V R_L=50Ω (ns)	Tamsi srovė V_R= 40V (nA)	Jungties talpa V_R= 40V f = 1 MHz (pF)	Pertraukimo įtampa (V)
GT102Ф0.2	II koaksialinis tipas,5501,TO-46 Kištuko tipas	Ф0.2	4–1100	980	0.3	10	0.5	0.5	100
GT102Ф0.5		Ф0,5				10	1.0	0.8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	TO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10,0				50	20	70