InGaAs APD moduliai

Modelis: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Trumpas aprašymas:

Tai indžio galio arsenido lavinos fotodiodo modulis su išankstinio stiprinimo grandine, leidžiančia stiprinti silpnos srovės signalą ir konvertuoti į įtampos signalą, kad būtų pasiektas fotonų-fotoelektrinio signalo stiprinimo konversijos procesas.

gauti citatą parsisiųsti

Techninis parametras

Produkto etiketės

funkcijos

Priekyje apšviestas plokščias lustas
Didelės spartos reakcija
Didelis detektoriaus jautrumas

Programos

Lazerinis diapazonas
Lazerinis ryšys
Lazerinis įspėjimas

Fotoelektrinis parametras(@Ta=22±3℃）

Prekė Nr.	Paketo kategorija	Šviesai jautraus paviršiaus skersmuo (mm)	Spektrinio atsako diapazonas (nm)	Pertraukimo įtampa (V)	Atsakingumas M = 10 λ = 1550 nm (kV/W)	Kylantis laikas (ns)	Pralaidumas (MHz)	Temperatūros koeficientas T_a= -40 ℃ - 85 ℃ (V/℃)	Triukšmo lygiavertė galia (pW/√Hz)	Koncentriškumas (μm)	Kitose šalyse pakeistas tipas
GD6510Y	TO-8	0.2	1000–1700	30–70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B